锑化铟(InSb)是研究得较早、较深入的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料。其晶体呈银色、质脆,为闪锌矿结构.晶格常数为6.48Å,是一种直接带隙材料,其禁带宽度较窄,为0.18eV,而电子迁移率高达7800cm2/V·s,可用来制作红外探测器,光磁探测器和Hall器件。
InSb单晶电子迁移率高,是良好的红外探测器件、霍耳器件、磁阻器件的衬底材料。例如,对应于大气透射窗口3~5μm波段的成像器件和InSb焦平面阵列器件。
类别
有毒物品
毒性分级
中毒
急性毒性
腹腔-小鼠LD50:3700 毫克/公斤
储运特性
库房通风低温干燥
灭火剂
干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水
职业标准
TWA 0.1 毫克(铟)/立方米